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TFT/Glass水平式清洗机
单晶圆湿蚀刻 Spin Processor 适用于 UBM、RDL 等金属层及二代半、三代半蚀刻。腔体可多药液共腔蚀刻,摆臂与喷蚀精准可控,酸碱分环回收无污染。PTFE 一体腔体防回溅,整机抗腐蚀,界面简洁,满足量产与工程需求。
TFT/Glass水平式清洗机
产品特点
01
各种晶片厚度和8mm内可容忍的warpage,对应真空、边缘夹持或Bernoulli效应的传送和spin holder技术。
02
标准Etch uniformity5%以内。均匀度要求可由工艺调整依需求规格持续优化。
03
化学品回收环最高可达3组,回收率>96%.
04
高速、平稳、防腐蚀之Spin Chuck,转速20~3000 rpm,可正转和反转。
05
精准化学品温度的控制,控制范围在0.5"C内。温度控制直到喷液前,药液持续循环保持温度的恒定性。
06
可控制之药液量使用,能保持每片晶片之相同制程环境。适用于Wafer Dry in/Dry out制程。
应用范围
技术参数
用途:
设备可以进行晶圆蚀刻和清洗工艺
适用/应用:
4”~12”晶圆
每小时产量:
腔体每小时产出量15pcs(每个制程180秒规划)
腔室类型:
单晶片旋转工艺室
装载/卸载:
FOUP / SMIF / Cassette
品圆夹持方式:
真空/Bernoulli和边缘夹持旋转卡盘〔依制程做选择)
设备界面控制:
触摸式荧幕+PLC控制
外部材质:
WPP; FMPVC
框架材质;
不锈钢
工作台:
依照产能需求最多能设计4个腔室和同时最多能放置5个摆臂
化学品选用:
AI蚀刻剂。Cu蚀刻剂,Ti蚀刻剂。Si-E,Si-C,Si-D,HNO3 / H2S04 / HF混合酸系列
臂摆工艺特点:
◆具有扫描功能的摆臂控制
◆可调整扫描参数
◆药液流量大小可调整
◆DIW流喷嘴:1~3kg/cm2
◆氮气喷头压力2~5ko/cm2
◆将化学控制温度控制在0.5C以内
◆蚀刻工艺后,搭配二流体清洗可以解决化学残留物问题
腔体设计:
半封闭式
制程优势:
◆能够进行分段分配速度控制
◆先进的品度控制系统(±0.5°C)