去光阻和金属剥离系统

去光阻和金属剥离系统

此设备支持 6/8/12 英寸晶圆，兼具批次与单晶片制程优势，集成溶剂浸泡、高压去胶、二流体清洗，浸泡槽带兆声波，可灵活选配。搭载二流体与高压喷射，去胶除粒效果好，模块化可扩展，程序控制稳定一致，保证晶圆高洁净度。

产品特点

浸泡槽 Cassette slot 间距 20mm，可容 15 片晶片，配独立搅拌与兆声波，加速光阻膨润软化。

浸泡槽内的化学品通过inline heater进行内部循环，并且在高压旋转腔体中实现溶剂的回收再利用，有效减少化学品浪费并节省成本。

高压旋转腔体配备HPC（高压清洗）和二流体功能，可根据不同产品的制程特性进行灵活调整，确保光阻和颗粒物的高效去除。

最终清洗腔体主要使用IPA作为介面溶剂，并以二流体去离子水清洗为核心，辅以DI Rinse功能，确保清洗后的晶片表面无残留物。

各制程腔体采用独立设计，避免不同制程之间的交叉污染，从而保证每个制程的晶片洁净度。

Spin Chamber具备晶圆双面清洗能力，确保每一片晶片的上下表面都能够彻底清洗，提高整体制程的清洁效果。

防水传输机械手为双指设计，适配 Wet to Wet 传输，支持 Dry-in/Dry-out 制程，稳定高效、一致性好。

应用范围

技术参数

应用范围

6，8，12寸晶圆光阻去除/助焊剂清洗；12寸CoW / WoW后底部Deflux清洗

腔室类型

浸泡槽 / 高压旋转腔室 / 最终漂洗旋转腔室；浸泡槽 / 负压真空旋转腔室 / 最终漂洗旋转腔室

晶圆夹持方式

边缘夹持

界面设备控制

触控式IPC+PLC

材质

外部：不锈钢；框架：不锈钢；腔室：不锈钢

化学品选用

NMP，EKC Series

工艺温度

Max. 125℃（助焊剂清洗，配备CO2灭火系统）

Chuck转速

Max. 2000RPM（正转 or 反转）

超声震荡频率

40KHz（上下搅拌震荡）

噪音

＜75db