单晶圆旋刻蚀机

单晶圆旋刻蚀机

此设备适用于 UBM、RDL、BGBM 及二三代半导体蚀刻制程，单腔支持多工艺，药液回收率高。摆臂程式化、磁旋浮泵控液均匀，酸碱分腔防交叉污染。PTFE 一体曲面腔体抗回溅，整机耐酸碱，稳定耐用。

产品特点

设备适配多种晶片厚度，可耐受 6mm 内翘曲，支持真空、边缘夹持等传送技术，保障传输稳定安全。

标准蚀刻均匀性控制在3%以内（片内/片间），均匀度要求可根据工艺需求进行优化，确保满足各种规格的精度要求。

设备配备最高可达3组化学品回收环，回收率超过97%，有效减少化学品的浪费，降低生产成本，提升环保效益。

设备配有不锈钢材质的清洗液加热供应槽，最高控制温度可达95°C，确保清洗液在高温下保持最佳的溶解和去除效果，提升清洗效率。

化学品温度控制精度高达±0.5℃，药液在喷液前保持循环，确保温度恒定，保证每个工艺过程中的一致性和可靠性。

设备能够精确控制每片晶片的药液使用量，确保每片晶片处于相同的制程环境，适用于Wafer Dry-in/Dry-out制程，提升生产质量与一致性。

软件界面简洁易用，支持量产与工程制程，可直观管控工艺参数，提升生产效率与操作精度。

应用范围

技术参数

适用晶圆

4” ~ 12” 硅基UBM、RDL、BGBM、各种金属层及二代半及三代半的蚀刻。

WPH

≥15pcs/H/Chamber（Base on TT 180s）

腔室类型

单晶圆旋转工艺腔室

装载 / 卸载

FOUP / SMIF / Cassette

晶圆夹持方式

真空 / Bernoulli 和边缘夹持旋转卡盘（依制程做选择）

设备界面控制方式

触控屏+IPC+PLC

噪音

＜75db

化学品选用

Al蚀刻液，Cu蚀刻液，Ti蚀刻液，Si-E，Si-C，Si-D，HNO3/H2SO4/HF混合酸系列

控温精度

±0.5℃